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SI7898DP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

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SI7898DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.96859 -
6,000 $0.93498 -
2508 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 85mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.9W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IXTY1N120P
IXTY1N120P
$0 $/Stück
FQA19N60
IXFN48N60P
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$0 $/Stück
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