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SI7940DP-T1-GE3

SI7940DP-T1-GE3

SI7940DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

compliant

SI7940DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.6A
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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Zugehörige Teilenummer

SI4200DY-T1-GE3
SI6966EDQ-T1-E3
SI4388DY-T1-GE3
SI1553DL-T1-GE3
ZDM4306NTC
SH8M14TB1
SH8M14TB1
$0 $/Stück
IRF9952QTRPBF
IRF7101PBF

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