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SI7942DP-T1-GE3

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SI7942DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

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SI7942DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.36833 -
6,000 $1.32085 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.8A
rds ein (max) @ id, vgs 49mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 24nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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