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SI7983DP-T1-GE3

SI7983DP-T1-GE3

SI7983DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

nicht konform

SI7983DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.7A
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 600µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 74nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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Zugehörige Teilenummer

PMGD370XN,115
SP8M5FU6TB
SP8M5FU6TB
$0 $/Stück
SI4830CDY-T1-E3
SP8K1FU6TB
SP8K1FU6TB
$0 $/Stück
IRF7301PBF
FDMD8580
FDMD8580
$0 $/Stück
SI4532ADY-T1-E3

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