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SI8900EDB-T2-E1

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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

nicht konform

SI8900EDB-T2-E1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.71930 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.4A
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 1.1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 10-UFBGA, CSPBGA
Lieferantengerätepaket 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
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Zugehörige Teilenummer

SI4228DY-T1-E3
FDMS3660S-F121
FDMS3660S-F121
$0 $/Stück
IRF7325PBF
SIZ702DT-T1-GE3
IRF5850TRPBF
SLA5085
SLA5085
$0 $/Stück
IRF7379TR

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