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SIA110DJ-T1-GE3

SIA110DJ-T1-GE3

SIA110DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK

compliant

SIA110DJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.43181 -
6,000 $0.41154 -
15,000 $0.39706 -
1 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 55mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 550 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

IRF9510STRLPBF
IXFP12N65X2
IXFP12N65X2
$0 $/Stück
FQD17N08LTM
BUK7S0R7-40HJ
IXFP20N50P3M
IXFP20N50P3M
$0 $/Stück
SIR5102DP-T1-RE3
PMPB20XNEAX
PMPB20XNEAX
$0 $/Stück

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