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SIA400EDJ-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

nicht konform

SIA400EDJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.24368 -
6,000 $0.22883 -
15,000 $0.21398 -
30,000 $0.20358 -
51000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 19mOhm @ 11A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1265 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 19.2W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

STH400N4F6-2
SQ3427AEEV-T1_BE3
C3M0045065K
C3M0045065K
$0 $/Stück
STP17N62K3
STP17N62K3
$0 $/Stück
NTD3055-150-1
NTD3055-150-1
$0 $/Stück
PSMN4R2-80YSEX

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