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SIA429DJT-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

nicht konform

SIA429DJT-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.24368 -
6,000 $0.22883 -
15,000 $0.21398 -
30,000 $0.20358 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1750 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS5C404NLTT3G
NTMFS5C404NLTT3G
$0 $/Stück
FQB27P06TM
FQB27P06TM
$0 $/Stück
BUK7M9R5-40HX
R6511ENJTL
R6511ENJTL
$0 $/Stück
DMP2040USS-13
BSP220,115
BSP220,115
$0 $/Stück
IRL60SL216
NX3008PBK,215

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