SIA430DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix von ichome.com

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Teilenummer des Herstellers:SIA430DJT-T1-GE3

Beschreibung:MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6

RoHs-Status:compliant

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
6,000	$0.20374	-

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Name	Wert
Produktstatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS)	20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C	12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an)	4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs	13.5mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID	3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs	18 nC @ 10 V
vgs (max)	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds	800 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	19.2W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Koffer	PowerPAK® SC-70-6