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SIA444DJT-T1-GE3

SIA444DJT-T1-GE3

SIA444DJT-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA444DJT-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 7.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 560 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

STB18N55M5
STB18N55M5
$0 $/Stück
IXFK52N60Q2
IXFK52N60Q2
$0 $/Stück
AUIRF2907Z
FDD5N50TF_WS
FDD5N50TF_WS
$0 $/Stück
FDMS9410-F085
FDMS9410-F085
$0 $/Stück
ATP108-TL-H
ATP108-TL-H
$0 $/Stück
IXFK150N10
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$0 $/Stück
IRFB9N65A
IRFB9N65A
$0 $/Stück

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