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SIA456DJ-T1-GE3

SIA456DJ-T1-GE3

SIA456DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70

compliant

SIA456DJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.41580 -
6,000 $0.39501 -
15,000 $0.38016 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

IRF820LPBF
IRF820LPBF
$0 $/Stück
SUM90140E-GE3
NTE455
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$0 $/Stück
STB22N60M6
STB22N60M6
$0 $/Stück
FQP6N25
FDB9403-F085
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$0 $/Stück
NX138AKR
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$0 $/Stück
DMP2018LFK-7

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