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SIA462DJ-T1-GE3

SIA462DJ-T1-GE3

SIA462DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

nicht konform

SIA462DJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.16245 -
6,000 $0.15255 -
15,000 $0.14265 -
30,000 $0.13572 -
75,000 $0.13500 -
1 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 570 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

PSMN3R3-80ES,127
PSMN3R3-80ES,127
$0 $/Stück
IRF6620TRPBF
FDMS2506SDC
CSD17305Q5A
CSD17305Q5A
$0 $/Stück
IXTA110N055T2-TRL
IXTA110N055T2-TRL
$0 $/Stück
UF3C065080B7S
UF3C065080B7S
$0 $/Stück
SIHB125N60EF-GE3
IXFP72N30X3M
IXFP72N30X3M
$0 $/Stück

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