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SIA477EDJ-T1-GE3

SIA477EDJ-T1-GE3

SIA477EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA477EDJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 14mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 87 nC @ 8 V
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2970 pF @ 6 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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