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SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

compliant

SIA485DJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.22671 -
6,000 $0.21289 -
15,000 $0.19908 -
30,000 $0.18940 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 155 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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