Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 190 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 950mA (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 1.8V, 4.5V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 1.4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 4.5 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±16V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 90 pF @ 100 V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 1.9W (Ta), 7W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Paket / Koffer | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.