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SIA912DJ-T1-GE3

SIA912DJ-T1-GE3

SIA912DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

nicht konform

SIA912DJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A
rds ein (max) @ id, vgs 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.5nC @ 8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 400pF @ 6V
Leistung - max. 6.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual
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Zugehörige Teilenummer

IRF7105PBF
SP8M6FRATB
SP8M6FRATB
$0 $/Stück
NTJD2152PT1G
NTJD2152PT1G
$0 $/Stück
SI1024X-T1-E3
FDS6898A_NF40
FDS6898A_NF40
$0 $/Stück
VEC2315-TL-W
VEC2315-TL-W
$0 $/Stück
IRF7303QTRPBF
SI6928DQ-T1-E3

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