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SIAA40DJ-T1-GE3

SIAA40DJ-T1-GE3

SIAA40DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6

compliant

SIAA40DJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.29069 -
6,000 $0.27183 -
15,000 $0.26240 -
30,000 $0.25725 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 4.5 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1200 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 19.2W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

SQ2309ES-T1_GE3
IPU60R1K0CE
RTF016N05FRATL
R6024ENJTL
R6024ENJTL
$0 $/Stück
APT1001RBVFRG
IXTP20N65X2
IXTP20N65X2
$0 $/Stück
PMV60ENEAR
PMV60ENEAR
$0 $/Stück

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