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SIB406EDK-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6

nicht konform

SIB406EDK-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.22563 -
6,000 $0.21188 -
15,000 $0.19813 -
30,000 $0.18850 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-75-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-75-6
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Zugehörige Teilenummer

BUK9M9R1-40EX
SVD5865NLT4G
SVD5865NLT4G
$0 $/Stück
IRF7480MTRPBF
STP18N60M2
STP18N60M2
$0 $/Stück
NTD4858N-35G
NTD4858N-35G
$0 $/Stück
SUM40012EL-GE3
IRFP150NPBF
SIHFPS37N50A-GE3

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