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SIB422EDK-T4-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 7.1A/9A PPAK

nicht konform

SIB422EDK-T4-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.21176 $0.21176
500 $0.2096424 $104.8212
1000 $0.2075248 $207.5248
1500 $0.2054072 $308.1108
2000 $0.2032896 $406.5792
2500 $0.201172 $502.93
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.1A (Ta), 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-75-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-75-6
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Zugehörige Teilenummer

5LN01SS-TL-E
5LN01SS-TL-E
$0 $/Stück
DMN6069SFVW-13
SQ3418AEEV-T1_GE3
BUK9Y1R3-40HX
SI3099-TP
SI3099-TP
$0 $/Stück
NVMFS5831NLWFT1G
NVMFS5831NLWFT1G
$0 $/Stück
APTM20DAM08TG

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