Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIDR170DP-T1-RE3

SIDR170DP-T1-RE3

SIDR170DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK

compliant

SIDR170DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.71000 $2.71
500 $2.6829 $1341.45
1000 $2.6558 $2655.8
1500 $2.6287 $3943.05
2000 $2.6016 $5203.2
2500 $2.5745 $6436.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 140 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6195 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NVGS4111PT1G
NVGS4111PT1G
$0 $/Stück
RCJ050N25TL
FCPF9N60NTYDTU
FCPF9N60NTYDTU
$0 $/Stück
IPI65R190C
STF11NM60ND
NVMFS5C410NAFT3G
NVMFS5C410NAFT3G
$0 $/Stück
IRFH5053TRPBF
FDBL86210-F085
FDBL86210-F085
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.