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SIDR390DP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK

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SIDR390DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.27323 -
6,000 $1.22905 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 153 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10180 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SCT3105KLHRC11
IXFH69N30P
IXFH69N30P
$0 $/Stück
PMT560ENEAX
PMT560ENEAX
$0 $/Stück
PSMN5R0-30YL,115
R6024KNZ1C9
HUF76423D3S
SQJA36EP-T1_GE3

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