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SIDR510EP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE

nicht konform

SIDR510EP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.20000 $3.2
500 $3.168 $1584
1000 $3.136 $3136
1500 $3.104 $4656
2000 $3.072 $6144
2500 $3.04 $7600
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 33A (Ta), 148A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4980 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IXTP26P10T
IXTP26P10T
$0 $/Stück
FDS4080N3
BSH201,215
BSH201,215
$0 $/Stück
STWA48N60M2
SQP100P06-9M3L_GE3
IRL630STRLPBF
NTD4N60
NTD4N60
$0 $/Stück
STWA67N60M6
STF18N60M6
STF18N60M6
$0 $/Stück

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