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SIDR578EP-T1-RE3

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SIDR578EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE

compliant

SIDR578EP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.09000 $3.09
500 $3.0591 $1529.55
1000 $3.0282 $3028.2
1500 $2.9973 $4495.95
2000 $2.9664 $5932.8
2500 $2.9355 $7338.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17.4A (Ta), 78A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2540 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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