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SIDR5802EP-T1-RE3

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SIDR5802EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET

compliant

SIDR5802EP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.01000 $3.01
500 $2.9799 $1489.95
1000 $2.9498 $2949.8
1500 $2.9197 $4379.55
2000 $2.8896 $5779.2
2500 $2.8595 $7148.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 34.2A (Ta), 153A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3020 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SI5458DU-T1-GE3
FDBL0630N150
FDBL0630N150
$0 $/Stück
SQ3481EV-T1_GE3
MMDF4N01HDR2
MMDF4N01HDR2
$0 $/Stück
PSMN5R0-40MLHX
RJ1P12BBDTLL

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