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SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK

compliant

SIDR622DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.46347 -
6,000 $1.40927 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1516 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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