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SIDR622DP-T1-RE3

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SIDR622DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

compliant

SIDR622DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.63000 $2.63
500 $2.6037 $1301.85
1000 $2.5774 $2577.4
1500 $2.5511 $3826.65
2000 $2.5248 $5049.6
2500 $2.4985 $6246.25
6213 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1516 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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