Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIDR626LDP-T1-RE3

SIDR626LDP-T1-RE3

SIDR626LDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK

nicht konform

SIDR626LDP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.19000 $3.19
500 $3.1581 $1579.05
1000 $3.1262 $3126.2
1500 $3.0943 $4641.45
2000 $3.0624 $6124.8
2500 $3.0305 $7576.25
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 45.6A (Ta), 2.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 135 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5900 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NTLUS3A18PZTAG
NTLUS3A18PZTAG
$0 $/Stück
FDMT80080DC
FDMT80080DC
$0 $/Stück
FDD6782A
SISS5708DN-T1-GE3
FDBL86563-F085
FDBL86563-F085
$0 $/Stück
IRFZ44ZPBF
UF4SC120030K4S
UF4SC120030K4S
$0 $/Stück
STU8NM50N
STU8NM50N
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.