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SIE812DF-T1-GE3

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SIE812DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK

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SIE812DF-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.81412 -
325 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8300 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 10-PolarPAK® (L)
Paket / Koffer 10-PolarPAK® (L)
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Zugehörige Teilenummer

FDMS8560S
PMN27UN,135
PMN27UN,135
$0 $/Stück
STU2N95K5
STU2N95K5
$0 $/Stück
STL7N10F7
STL7N10F7
$0 $/Stück
IRF7401TRPBF
FDS86240
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$0 $/Stück
NTMFS5H419NLT1G
NTMFS5H419NLT1G
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