Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIE818DF-T1-GE3

SIE818DF-T1-GE3

SIE818DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK

nicht konform

SIE818DF-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $2.09209 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3200 pF @ 38 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 10-PolarPAK® (L)
Paket / Koffer 10-PolarPAK® (L)
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

DMN2710UT-7
STQ1HN60K3-AP
SCH1439-TL-W
SCH1439-TL-W
$0 $/Stück
G2R50MT33K
FDH055N15A
FDH055N15A
$0 $/Stück
TP65H050WS
TP65H050WS
$0 $/Stück
IXFP230N075T2
IXFP230N075T2
$0 $/Stück
CSD17312Q5
CSD17312Q5
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.