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SIHA11N80E-GE3

SIHA11N80E-GE3

SIHA11N80E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 12A TO220

nicht konform

SIHA11N80E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.92000 $3.92
10 $3.50400 $35.04
100 $2.87290 $287.29
500 $2.32632 $1163.16
1,000 $1.96196 -
2,500 $1.86386 -
5,000 $1.79379 -
446 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 440mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 88 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1670 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 34W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

TN0604N3-G
APT20M11JVR
FDFMA2P029Z
FDFMA2P029Z
$0 $/Stück
NVMFS020N06CT1G
NVMFS020N06CT1G
$0 $/Stück
IRF7832TRPBF
IRFS9N60ATRLPBF
DMP2109UVT-13
IXTA50N25T-TRL
IXTA50N25T-TRL
$0 $/Stück

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