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SIHA125N60EF-GE3

SIHA125N60EF-GE3

SIHA125N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

compliant

SIHA125N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.62000 $4.62
500 $4.5738 $2286.9
1000 $4.5276 $4527.6
1500 $4.4814 $6722.1
2000 $4.4352 $8870.4
2500 $4.389 $10972.5
1000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1533 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 179W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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