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SIHA22N60EL-GE3

SIHA22N60EL-GE3

SIHA22N60EL-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL600V

compliant

SIHA22N60EL-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.37000 $4.37
500 $4.3263 $2163.15
1000 $4.2826 $4282.6
1500 $4.2389 $6358.35
2000 $4.1952 $8390.4
2500 $4.1515 $10378.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 197mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 74 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1690 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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