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SIHA24N65EF-GE3

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SIHA24N65EF-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 650V

nicht konform

SIHA24N65EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.19000 $6.19
500 $6.1281 $3064.05
1000 $6.0662 $6066.2
1500 $6.0043 $9006.45
2000 $5.9424 $11884.8
2500 $5.8805 $14701.25
1000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 156mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 122 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2774 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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