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SIHA2N80E-GE3

SIHA2N80E-GE3

SIHA2N80E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220

compliant

SIHA2N80E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.87632 -
2,000 $0.81945 -
5,000 $0.79101 -
10,000 $0.77550 -
27 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.75Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 315 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 29W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXTA90N075T2-TRL
IXTA90N075T2-TRL
$0 $/Stück
FQP13N06L
FQP13N06L
$0 $/Stück
IPI023NE7N3G
DMP3097LQ-7
CSD17307Q5A
CSD17307Q5A
$0 $/Stück
FDD6632
FQP27P06
FQP27P06
$0 $/Stück
STB120N4LF6

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