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SIHA6N65E-E3

SIHA6N65E-E3

SIHA6N65E-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220

SOT-23

nicht konform

SIHA6N65E-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.24000 $2.24
10 $2.02000 $20.2
100 $1.62360 $162.36
500 $1.26280 $631.4
1,000 $1.04632 -
3,000 $0.97416 -
5,000 $0.93808 -
5 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1640 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STB27NM60ND
2N7002T-7-F
FCP190N65F
FCP190N65F
$0 $/Stück
PHT6N06LT,135
PHT6N06LT,135
$0 $/Stück
DMG6402LVT-7
SI6423ADQ-T1-GE3
NVMFS5C430NLAFT1G
NVMFS5C430NLAFT1G
$0 $/Stück
SI2307CDS-T1-E3
BSC889N03MSG

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