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SIHB180N60E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK

nicht konform

SIHB180N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.86000 $3.86
10 $3.46300 $34.63
100 $2.86130 $286.13
500 $2.34010 $1170.05
1,000 $1.99260 -
2,500 $1.89904 -
5,000 $1.83222 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1085 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

AUIRFB8409
2N7002HSX
2N7002HSX
$0 $/Stück
TN2501N8-G
IXFQ60N25X3
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$0 $/Stück
MMDF7N02ZR2
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$0 $/Stück
STU2N105K5
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$0 $/Stück
ZXMN3A01FTA

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