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SIHB22N60EF-GE3

SIHB22N60EF-GE3

SIHB22N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK

compliant

SIHB22N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.73000 $3.73
500 $3.6927 $1846.35
1000 $3.6554 $3655.4
1500 $3.6181 $5427.15
2000 $3.5808 $7161.6
2500 $3.5435 $8858.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 182mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1423 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 179W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FQI4N20TU
DMP2033UVT-7
RM3404
RM3404
$0 $/Stück
NVMFS6H824NLWFT1G
NVMFS6H824NLWFT1G
$0 $/Stück
IRF1010NPBF

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