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SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

compliant

SIHB23N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.11000 $4.11
500 $4.0689 $2034.45
1000 $4.0278 $4027.8
1500 $3.9867 $5980.05
2000 $3.9456 $7891.2
2500 $3.9045 $9761.25
14 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 158mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2418 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SI4408DY-T1-E3
DMP3068L-7
SI2343CDS-T1-BE3
NTBG160N120SC1
NTBG160N120SC1
$0 $/Stück
PMPB16R5XNEX
ZXMN2AM832TA
RUM002N05T2L
SUP90N06-6M0P-E3

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