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SIHB30N60AEL-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 28A TO263

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SIHB30N60AEL-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.57520 -
2,000 $3.40734 -
18 items
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2565 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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