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SIHB30N60ET5-GE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

nicht konform

SIHB30N60ET5-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.35000 $6.35
500 $6.2865 $3143.25
1000 $6.223 $6223
1500 $6.1595 $9239.25
2000 $6.096 $12192
2500 $6.0325 $15081.25
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IXFK360N10T
IXFK360N10T
$0 $/Stück
STFI13N95K3
STP3LN62K3
STP3LN62K3
$0 $/Stück
FDZ7296
G3R20MT12K
FQA10N80C
PMZ350UPEYL
PMZ350UPEYL
$0 $/Stück

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