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SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

nicht konform

SIHD7N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.21000 $2.21
10 $1.99600 $19.96
100 $1.60380 $160.38
500 $1.24740 $623.7
1,000 $1.03356 -
2,500 $0.96228 -
5,000 $0.92664 -
169 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 680 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 78W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IRFR420T
IRFZ44RPBF
IRFZ44RPBF
$0 $/Stück
FDMC86102LZ
FDMC86102LZ
$0 $/Stück
NDT3055
NDT3055
$0 $/Stück
BUK9628-55A,118
EPC2040
EPC2040
$0 $/Stück
SPI21N10

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