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SIHF12N50C-E3

SIHF12N50C-E3

SIHF12N50C-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 12A TO220

nicht konform

SIHF12N50C-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.82000 $5.82
50 $4.67780 $233.89
100 $4.26200 $426.2
500 $3.45114 $1725.57
1,000 $2.91060 -
2,500 $2.76507 -
997 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 555mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1375 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NTD23N03RT4G
NTD23N03RT4G
$0 $/Stück
NTR4502PT1G
NTR4502PT1G
$0 $/Stück
PHP33NQ20T,127
STN1NF10
STN1NF10
$0 $/Stück
SPW07N60CFD
C3M0280090J-TR
BUK958R5-40E,127
BUK958R5-40E,127
$0 $/Stück
STP13NM60ND
DMN4468LSS-13

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