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SIHF23N60E-GE3

SIHF23N60E-GE3

SIHF23N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 23A TO220

nicht konform

SIHF23N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.88280 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 158mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2418 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

DMTH6010LK3-13
IXFH96N15P
IXFH96N15P
$0 $/Stück
SUM40010EL-GE3
STU6N65M2
STU6N65M2
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CSD17579Q5A
CSD17579Q5A
$0 $/Stück
SIHF520STRL-GE3

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