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SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A TO220

nicht konform

SIHF30N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.78000 $6.78
10 $6.05000 $60.5
100 $4.96100 $496.1
500 $4.01720 $2008.6
1,000 $3.38800 -
3,000 $3.21860 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 37W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

MMDF6N02HDR2
MMDF6N02HDR2
$0 $/Stück
BUK6C2R1-55C,118
DMN601WK-7
FDC3535
FDC3535
$0 $/Stück
IRFP054NPBF
FDP2552
FDP2552
$0 $/Stück
PMPB09R5VPX
PMPB09R5VPX
$0 $/Stück
FQPF2N50

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