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SIHF35N60E-GE3

SIHF35N60E-GE3

SIHF35N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220

nicht konform

SIHF35N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.47000 $6.47
10 $5.77500 $57.75
100 $4.73550 $473.55
500 $3.83460 $1917.3
1,000 $3.23400 -
3,000 $3.07230 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 94mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 132 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2760 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NTD4863N-1G
NTD4863N-1G
$0 $/Stück
FDS7088SN3
STP200NF03
STP200NF03
$0 $/Stück
NTHL065N65S3HF
NTHL065N65S3HF
$0 $/Stück
IRF9Z34STRLPBF
IXTP10P50P
IXTP10P50P
$0 $/Stück
FDMS86255
FDMS86255
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