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SIHF7N60E-GE3

SIHF7N60E-GE3

SIHF7N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220

nicht konform

SIHF7N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.16955 -
2,000 $1.09365 -
5,000 $1.05570 -
10,000 $1.03500 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 680 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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