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SIHG050N60E-GE3

SIHG050N60E-GE3

SIHG050N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC

compliant

SIHG050N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.20000 $11.2
10 $10.12000 $101.2
100 $8.39060 $839.06
500 $7.09366 $3546.83
1,000 $6.22905 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 51A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3459 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 278W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

PMZ290UNEYL
IPD04N03LB G
IXFQ50N50P3
IXFQ50N50P3
$0 $/Stück
CSD19506KCS
CSD19506KCS
$0 $/Stück

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