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SIHG11N80AE-GE3

SIHG11N80AE-GE3

SIHG11N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC

compliant

SIHG11N80AE-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.89000 $2.89
500 $2.8611 $1430.55
1000 $2.8322 $2832.2
1500 $2.8033 $4204.95
2000 $2.7744 $5548.8
2500 $2.7455 $6863.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 804 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 78W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFZ44VPBF
STL10N65M2
STL10N65M2
$0 $/Stück
BUK7507-55B,127
BUK7507-55B,127
$0 $/Stück
SI2323CDS-T1-BE3
NVTYS004N03CLTWG
NVTYS004N03CLTWG
$0 $/Stück
ZXMN6A08GQTC
STB130N6F7
STB130N6F7
$0 $/Stück
IRFU4615PBF

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