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SIHG17N60D-E3

SIHG17N60D-E3

SIHG17N60D-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

nicht konform

SIHG17N60D-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $2.58398 $1291.99
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 340mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1780 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 277.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SI7135DP-T1-GE3
STD70N6F3
STD70N6F3
$0 $/Stück
IRFM210BTF
FDP050AN06A0
FDP050AN06A0
$0 $/Stück
RM1002
RM1002
$0 $/Stück
IXFX140N30P
IXFX140N30P
$0 $/Stück
ATP602-TL-H
ATP602-TL-H
$0 $/Stück
AUIRFZ44NSTRL
IXTP05N100
IXTP05N100
$0 $/Stück
STP26N65DM2

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