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SIHG21N65EF-GE3

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SIHG21N65EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC

nicht konform

SIHG21N65EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.13000 $6.13
10 $5.50100 $55.01
100 $4.54520 $454.52
500 $3.71718 $1858.59
1,000 $3.16520 -
2,500 $3.01659 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 106 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2322 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 208W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

BUK9Y14-40B,115
SCT3060ALGC11
NTMFS4708NT3G
NTMFS4708NT3G
$0 $/Stück
PMH950UPEH
PMH950UPEH
$0 $/Stück
PMZ950UPELYL
DMN4030LK3Q-13
MCH3478-TL-H
MCH3478-TL-H
$0 $/Stück
IXTA20N65X
IXTA20N65X
$0 $/Stück

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